第三代功率半導體產值 將從9.8億美元成長至47億
集邦咨詢發布報告稱，目前最具發展潛力的材料是具備高功率及高頻率特性的寬帶隙(Wide Band Gap，WBG)半導體，包含碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)，主要應用多為電動汽車、快充市場。
據集邦咨詢研究測算，第三代功率半導體產值將從 2021 年的 9.8 億美元，成長至2025 年的 47.1 億美元，年復合增長率達 48%。
報告稱，目前在各大襯底供應商的開發下，包括 Wolfspeed、II-VI、Qromis 等廠商陸續擴增產能，并將在 2022 年下半年量產 8 英寸襯底，預計第三代功率半導體未來幾年產值仍有增長空間。
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