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三星將推出第八代V-NAND閃存:層數(shù)超過200、512GB僅厚0.8mm

來源:快科技

作為全球NAND閃存市場的一哥,三星在3D閃存上又要領(lǐng)先其他廠商了,日前在三星技術(shù)論壇上,三星公布了第八代V-NAND的細節(jié),堆棧層數(shù)超過200層,容量可達1Tbit,512GB容量的厚度也只有0.8mm,可用于手機。

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三星的V-NAND閃存現(xiàn)在演員發(fā)展到了第七代V-NAND V7,堆棧層數(shù)176層,TLC版核心容量512Gbit,而即將推出的V-NAND V8層數(shù)將超過200——三星沒提到具體多少層,但之前的報道中指出是228層,提升30%左右,存儲密度提升了40%左右。

V-NAND V8閃存的單顆核心容量也從之前的512Gbit翻倍到了1Tbit,同時性能也更強,IO接口速率從2Gbps提升到了2.4Gbps,性能更適配最新的PCIe 5.0標準。

得益于存儲容量更大. V-NAND V8閃存的厚度依然可以控制在合理水平,封裝512GB容量也不超過0.8mm,可以用于新一代智能手機。

在未來,三星的V-NAND閃存堆棧層數(shù)還會進一步提升,路線圖中的目標是超過500層,這被視為3D閃存的極限,不過三星還在想法突破,最終能制造1000層堆棧的3D閃存。

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