三星提升QLC閃存性能：寫入可達320MB/s 重新超越機械硬盤
隨著閃存的發展，如今廉價、大容量的SSD幾乎都要上QLC閃存了，這讓消費者很不爽，因為QLC閃存不僅可靠性差，而且性能也慢很多，沒有緩存加速的時候，性能甚至跑不過HDD機械硬盤。QLC閃存性能差是先天性的，如果用光了緩存容量空間，現在的QLC閃存真實寫入速度也就100MB/s，三星的870 QVO硬盤之前有人實測過，拷貝文件的速度也就160MB/s，這個速度甚至還不如一些HDD機械盤快。
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三星也注意到這個問題了，未來也會重點關注QLC閃存的性能，目前他們使用的QLC閃存主要還是96層堆棧的V5 QLC，明年會跳過V6 QLC，直接進入176層的V6 QLC閃存時代。
根據三星所說，新一代QLC閃存性能好得多，寫入速度2.7倍、讀取速度也有2.6倍，不過這是針對V4 QLC閃存的，相比現在的V5 QLC大概能提升一倍，意味著寫入性能可提升到320MB/s。
不考慮緩存加速，320MB/s的原始寫入性能已經相當可觀了，足以讓SSD性能重新超過HDD硬盤，并且跟TLC閃存一較高下，相關產品預計在明年上市。
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